Purity:>99.995%
纯进口HQ graphene二硒化钨晶体
货号:101261 编号:XF130
CAS号:12067-46-8 规格:纯度: 99.995%, 尺寸: 约10mm
包装:1 盒 保质期:180天
保存条件:常温干燥避光密封保存
产品名称
中文名称: 纯进口HQ graphene二硒化钨晶体
英文名称:HQ graphene WSe2
产品概述
WSe2是一种间接带隙为~1.3 eV的半导体,单层WSe2具有直接带隙。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。二硒化钨属于第六族过渡金属二硫族化合物(TMDC)。在HQ石墨烯中制备的WSe2晶体具有典型的横向尺寸为~0.8-1 cm,六角形和金属外观。我们制备了n型和p型WSe2,在室温下典型载流子密度为~1015cm-3。
WSe2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~1.3 eV, monolayer WSe2 has a direct band gap. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Tungsten Diselenide belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC).
The WSe2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. We produce both n-type and p-type WSe2, having typical charge carrier densities of ~1015cm-3 at room temperature.
技术参数
纯度: 99.995%
尺寸:~6-8 mm
颜色: 银灰色
产品特点
Electrical properties:Semiconductor,p-type
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Type:Synthetic
应用领域
在电子学领域:
场效应晶体管(FET):由于其出色的电学性能,可用于制造高性能、低功耗的场效应晶体管。例如,在下一代纳米电子器件中,能够实现更小的尺寸和更优的性能。
集成电路:有望成为未来集成电路中的关键组件,提高芯片的集成度和运算速度。
在能源领域:
太阳能电池:可用作太阳能电池的吸收层材料,提高光电转换效率。比如在新型薄膜太阳能电池中,有助于增强对太阳光的吸收和电荷传输。
锂离子电池:作为锂离子电池的电极材料,表现出良好的电化学性能和循环稳定性。
在催化领域:
析氢反应(HER)催化:在电解水制氢中,是一种有潜力的析氢反应催化剂,能够降低反应所需的能量,提高产氢效率。
其他信息
如您想了解更多产品详情,可拨打电话400-025-3200,您也可以发送邮件到sale@xfnano.com咨询
原链接:http://www.hqgraphene.com/WSe2.php
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